GaN快充冲击240W？
Silergy 11.03.2021
第三代半导体材料 GaN
随着GaN技术获得突破，成本得到控制，除了在射频微波等众多对功率和频率有较高要求的场景之外，它还被广泛应用到了消费类电子领域，尤其是快速充电器上面。应用于充电器时可有效缩小产品尺寸，在发热、效率转换上也有更大优势，极大地提升了用户体验。
GaN FET 控制技术
氮化镓快充市场的爆发，带来的不仅是功率器件市场的变革，同时也促进了GaN FET控制技术的发展。
GaN功率器件的驱动电压要求精准，器件开启电压阈值（VGS_TH）低，易受干扰而误开启。所以相较传统硅器件而言，驱动氮化镓的驱动器和控制器需要解决更多的技术问题。矽力杰积极参与布局第三代半导体，发布了高频QR反激控制器SY5021。
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